PDF
T/IAWBS 016-2022 现行
T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
简介
范围:本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。 本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。 本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测; 主要技术内容:本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下：本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、 规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录
通用商品信息
| 委员会 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
|---|---|
| 文献类型 | 团体标准 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/IAWBS 016-2022 |
| CCS | 金属理化性能试验方法 |
| ICS | 半导体材料 |
| 实施日期 | 2022-03-24 |
价格
$ 20.00
小计
$ 20.00
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 20.00