GB/T 11093-1989
被代替
T/IAWBS 016-2022
现行
团体标准
T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
T/IAWBS 016-2022 Carbon-doped silicon monocrystal X-ray double crystal waver curve half-width testing method
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/IAWBS 016-2022
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属理化性能试验方法
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2022-03-17
实施日期:
2022-03-24
归口单位:
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
页数:
9 页
适用范围
范围:本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。 本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。 本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测; 主要技术内容:本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下：本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、 规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录
研制信息
起草单位:
国宏中宇科技发展有限公司、 中关村天合宽禁带半导体技术创新联 盟、 中科钢研节能科技有限公司、 北京天科合达半导体股份有限公司、 中国科学院物理研 究所、 北京三平泰克科技有限责任公司、 北京聚睿众邦科技有限公司、 芜湖启迪半导体有 限公司、 中国科学院半导体研究所
起草人:
刘素娟、 鲍慧强、 李龙远、 王锡铭、 赵然、 赵子强、 刘春俊、 闫 方亮、 郑红军、 王文军、 钮应喜、 刘兴昉、 刘祎晨