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GB/T 11073-2007
GB/T 11073-2007 Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
简介
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 被代替 |
| 标准编号 | GB/T 11073-2007 |
| CCS | 半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS | 金属材料试验综合 |
| 实施日期 | 2008-02-01 |
价格
$ 47
小计
$ 47
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 47