GB/T 11073-2007 被代替 国家标准

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 11073-2007 Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

发布日期: 2007-09-11 实施日期: 2008-02-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 11073-2007
标准类型: 国家级标准
标准状态: 被代替
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类名称: 金属材料试验综合
发布日期: 2007-09-11
实施日期: 2008-02-01
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数: 16 页

适用范围

本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10-3 Ω·cm~3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

研制信息

起草单位:

峨嵋半导体材料厂

起草人:

梁洪、覃锐兵、王炎

字数: 24 千字 页数: 16 页

替代以下标准

被以下标准替代

引用标准

采用标准

ASTM F 81-1901

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