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GB/T 29057-2012
GB/T 29057-2012 Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy
简介
[STFZ]2.1[ST]本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷，或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝，或二者兼有)及碳杂质。
[STFZ]2.2[ST]本标准中适用的杂质浓度测定范围：施主和受主杂质为（0.002～100）ppba（十亿分之一原子比），碳杂质为（0.02～15）ppma（百万分之一原子比）。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。
[STFZ]2.3[ST] 本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 被代替 |
| 标准编号 | GB/T 29057-2012 |
| CCS | 半金属与半导体材料 |
| ICS | 半导体材料 |
| 实施日期 | 2013-10-01 |
价格
$ 57
小计
$ 57
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 57