GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 29057-2012
被代替
国家标准
GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 29057-2012 Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy
基本信息
标准编号:
GB/T 29057-2012
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2012-12-31
实施日期:
2013-10-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
页数:
15 页
适用范围
[STFZ]2.1[ST]本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷，或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝，或二者兼有)及碳杂质。
[STFZ]2.2[ST]本标准中适用的杂质浓度测定范围：施主和受主杂质为（0.002～100）ppba（十亿分之一原子比），碳杂质为（0.02～15）ppma（百万分之一原子比）。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。
[STFZ]2.3[ST] 本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。
研制信息
起草单位:
四川新光硅业科技有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、天威四川硅业有限责任公司
起草人:
梁洪、刘畅、陈自强、张新、蓝志、张华端、瞿芬芬
被以下标准替代
引用标准
GB/T 620-1993 化学试剂 氢氟酸
GB/T 620-2011 化学试剂 氢氟酸
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GB/T 626-2006 化学试剂 硝酸
GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
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GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
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GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
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GB/T 4842-1995 纯氩
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GB/T 4842-2017 氩
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GB/T 11446.1-2013 电子级水
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GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14264-2024 半导体材料术语
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GB/T 24581-2022 硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
GB 50073-2013 洁净厂房设计规范(附条文说明)
采用标准
SEMI MF1723-1104