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YS/T 23-2016 现行
YS/T 23-2016 Test method for thickness of epitaxial layers—Stacking fault size
简介
本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。
本标准适用于在111、100和110晶向的硅单晶衬底上生长的2 μm～120 μm硅外延层厚度的测量。
通用商品信息
| 委员会 | 全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243) |
|---|---|
| 文献类型 | 行业标准-有色金属 |
| 发布单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | YS/T 23-2016 |
| CCS | 金属物理性能试验方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2016-09-01 |
价格
$ 32
小计
$ 32
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 32