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GB/T 32189-2015 现行
GB/T 32189-2015 Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
简介
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC2) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 32189-2015 |
| CCS | 金属物理性能试验方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2016-11-01 |
价格
$ 54
小计
$ 54
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 54