GB/T 32189-2015 现行 国家标准

GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

GB/T 32189-2015 Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope

发布日期: 2015-12-10 实施日期: 2016-11-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 32189-2015
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 金属物理性能试验方法
国际标准分类名称: 金属材料试验
发布日期: 2015-12-10
实施日期: 2016-11-01
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC2)
页数: 11 页

适用范围

 本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前,需经测试双方协商达成一致。

研制信息

起草单位:

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司

起草人:

刘争晖、钟海舰、徐耿钊、樊英民、邱永鑫、曾雄辉、王建峰、徐科

字数: 20 千字 页数: 11 页

引用标准

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