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GB/T 41765-2022 现行
GB/T 41765-2022 Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
简介
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向112-0方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 41765-2022 |
| CCS | 金属物理性能试验方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2023-05-01 |
价格
$ 65
小计
$ 65
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 65