GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 41765-2022
现行
国家标准
GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
GB/T 41765-2022 Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
基本信息
标准编号:
GB/T 41765-2022
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属物理性能试验方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2022-10-12
实施日期:
2023-05-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
11 页
适用范围
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向112-0方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
研制信息
起草单位:
北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
起草人:
彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青