PDF
GB/T 14142-2017 现行
GB/T 14142-2017 Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
简介
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 μm，缺陷密度的测试范围0～10 000 cm-2。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 14142-2017 |
| CCS | 金属化学性能试验方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2018-04-01 |
价格
$ 50
小计
$ 50
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 50