GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 14142-2017
现行
国家标准
GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14142-2017 Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
基本信息
标准编号:
GB/T 14142-2017
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属化学性能试验方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2017-11-01
实施日期:
2018-04-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
7 页
适用范围
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 μm，缺陷密度的测试范围0～10 000 cm-2。
研制信息
起草单位:
南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司
起草人:
马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英