PDF
GB/T 35306-2017
GB/T 35306-2017 Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
简介
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×1014 atoms·cm-3(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 被代替 |
| 标准编号 | GB/T 35306-2017 |
| CCS | 半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2018-07-01 |
价格
$ 44
小计
$ 44
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 44