GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 35306-2017
被代替
国家标准
GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
GB/T 35306-2017 Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
基本信息
标准编号:
GB/T 35306-2017
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2017-12-29
实施日期:
2018-07-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
9 页
适用范围
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×1014 atoms·cm-3(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。
研制信息
起草单位:
昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司
起草人:
张云晖、韩小月、毛智慧、赵建为、刘晓霞、王桃霞、田洪先、刘明军、银波、刘国霞、蔡延国、秦榕、童孟、钱津旺、杨红燕