GB/T 14264-1993
被代替
GB/T 4937.41-2026
即将实施
国家标准
GB/T 4937.41-2026 半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法
GB/T 4937.41-2026 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 41:Test method for reliability of non-volatile memory devices
基本信息
标准编号:
GB/T 4937.41-2026
标准类型:
国家级标准
标准状态:
即将实施
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2026-02-27
实施日期:
2026-09-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数:
20 页
适用范围
本文件确立了非易失性存储器(以下简称“器件”)根据鉴定规范进行有效的耐久性、数据保持和交叉温度试验的程序。耐久性和数据保持鉴定规范鉴定要求(针对循环计数、保持时间、温度和样本量)参考JESD47或者类似JESD94中的方法。
研制信息
起草单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所、无锡中微腾芯电子有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中国电子技术标准化研究院、河北北芯半导体科技有限公司、电子科技大学、南京航空航天大学、得一微电子股份有限公司、华东师范大学、中国电子科技集团公司第三十二研究所、上海贝岭股份有限公司、成都振芯科技股份有限公司、浙江驰拓科技有限公司、深圳市源微创新实业有限公司、珠海妙存科技有限公司、中绍宣标准化服务(山东)有限公司、深圳市迈迪杰电子科技有限公司
起草人:
常艳昭、宋国栋、郭晓宇、解维坤、张凯虹、王建超、陈诚、韩先虎、顾玉娣、季伟伟、冯佳、万永康、虞勇坚、吕栋、路金朋、印琴、张猛华、奚留华、杨霄垒、吴晨烨、李秋枫、秦虎、郝香池、鹿祥宾、张肖、颜佳辉、杨少华、李锟、席善斌、张欢、戴志坚、张颖、陈鑫、吴大畏、廉鹏飞、付仲满、李刚、徐中国、任秋萍、鲁鹏棋、鲍斌、赖鼐、左仲元、黄如金
同系列标准
引用标准
IEC 60749-6
IEC 60749-23
采用标准
IEC 60749-41:2020