GB/T 4937.41-2026 Pending National standards

GB/T 4937.41-2026 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 41:Test method for reliability of non-volatile memory devices

Publish Date: 2026-02-27 Implement Date: 2026-09-01 For services related to genuine standard inquiry, procurement, translation, and other related services in China, please Contact Us

Basic Information

Standard Code: GB/T 4937.41-2026

Standard Type: National standards

Standard Status: Pending

is_force_gb: no

CCS Name: Semiconductor discrete devices

ICS Name: Integrated Components of Semiconductor Devices

Publish Date: 2026-02-27

Implement Date: 2026-09-01

Publisher: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

Technical Committee: 全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

Pages: 20 pages

Scope

本文件确立了非易失性存储器(以下简称“器件”)根据鉴定规范进行有效的耐久性、数据保持和交叉温度试验的程序。耐久性和数据保持鉴定规范鉴定要求(针对循环计数、保持时间、温度和样本量)参考JESD47或者类似JESD94中的方法。

Development Information

Drafting Units:

中国电子科技集团公司第五十八研究所、无锡中微腾芯电子有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中国电子技术标准化研究院、河北北芯半导体科技有限公司、电子科技大学、南京航空航天大学、得一微电子股份有限公司、华东师范大学、中国电子科技集团公司第三十二研究所、上海贝岭股份有限公司、成都振芯科技股份有限公司、浙江驰拓科技有限公司、深圳市源微创新实业有限公司、珠海妙存科技有限公司、中绍宣标准化服务(山东)有限公司、深圳市迈迪杰电子科技有限公司

Drafting Persons:

常艳昭、宋国栋、郭晓宇、解维坤、张凯虹、王建超、陈诚、韩先虎、顾玉娣、季伟伟、冯佳、万永康、虞勇坚、吕栋、路金朋、印琴、张猛华、奚留华、杨霄垒、吴晨烨、李秋枫、秦虎、郝香池、鹿祥宾、张肖、颜佳辉、杨少华、李锟、席善斌、张欢、戴志坚、张颖、陈鑫、吴大畏、廉鹏飞、付仲满、李刚、徐中国、任秋萍、鲁鹏棋、鲍斌、赖鼐、左仲元、黄如金

Word Count: 31 Thousand words Pages: 20 pages