GB/T 36646-2018 现行 国家标准

GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

GB/T 36646-2018 Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

发布日期: 2018-09-17 实施日期: 2019-01-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 36646-2018
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 电子工业生产设备
国际标准分类名称: 电子电信设备用机电元件
发布日期: 2018-09-17
实施日期: 2019-01-01
发布单位/组织: 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
页数: 17 页

适用范围

本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

研制信息

起草单位:

东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院

起草人:

刘鹏、孙永健、丁晓民、冯亚彬、王健辉

字数: 28 千字 页数: 17 页

引用标准

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