GB/T 4855-1984
废止
GB/T 42709.5-2023
现行
国家标准
GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关
GB/T 42709.5-2023 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 5:RF MEMS switches
基本信息
标准编号:
GB/T 42709.5-2023
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
集成电路、微电子学
发布日期:
2023-05-23
实施日期:
2023-09-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
中华人民共和国工业和信息化部
页数:
32 页
适用范围
本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式分类,包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR(软件无线电)电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛,射频MEMS开关的应用说明见附录E。
研制信息
起草单位:
中国电子技术标准化研究院、中国电子信息产业集团有限公司、北京大学、北京必创科技股份有限公司、河北美泰电子科技有限公司
起草人:
刘若冰、李博、张威、陈得民、崔波、翟晓飞
同系列标准
引用标准
GB/T 4937.12-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动
GB/T 4937.27-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM)
IEC 60747-1:2006
IEC 60747-16-1
IEC 60747-16-4:2004
IEC 60749-5:2017
IEC 60749-10:2022
采用标准
IEC 62047-5:2011