GB/T 42902-2023 现行 国家标准

GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法

GB/T 42902-2023 Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method

发布日期: 2023-08-06 实施日期: 2024-03-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 42902-2023
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 金属物理性能试验方法
国际标准分类名称: 金属材料试验
发布日期: 2023-08-06
实施日期: 2024-03-01
发布单位/组织: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数: 12 页

适用范围

本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

研制信息

起草单位:

安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所

起草人:

钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果

字数: 27 千字 页数: 12 页

引用标准

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