GB/T 42902-2023 Active National standards

GB/T 42902-2023 Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method

GB/T 42902-2023 Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method

Publish Date: 2023-08-06 Implement Date: 2024-03-01 For services related to genuine standard inquiry, procurement, translation, and other related services in China, please Contact Us

Basic Information

Standard Code: GB/T 42902-2023
Standard Type: National standards
Standard Status: Active
is_force_gb: no
CCS Name: \nTest methods for the physical properties of metals
ICS Name: \nMetal material testing
Publish Date: 2023-08-06
Implement Date: 2024-03-01
Publisher: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Technical Committee: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Pages: 12 pages

Scope

本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

Development Information

Drafting Units:

安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所

Drafting Persons:

钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果

Word Count: 27 Thousand words Pages: 12 pages

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