GB/T 4298-1984
废止
T/CS 213-2025
现行
团体标准
T/CS 213-2025 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）直流参数测试方法
T/CS 213-2025 Test method for DC parameters of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（MOSFET）
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/CS 213-2025
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
医用电子仪器设备
国际标准分类名称:
其他半导体分立器件
发布日期:
2026-01-08
实施日期:
2026-01-23
归口单位:
中国商品学会
适用范围
本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）主要直流参数的测试方法。 本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的测试
研制信息
起草单位:
无锡矽鹏半导体检测有限公司、常州佑仕达智能装备有限公司、中微龙图电子科技无锡有限责任公司、无锡市软测认证有限公司、扬州亿芯微电子有限公司、福思特电子商务（南京）有限公司
起草人:
周国成、汪翱翔、戴九梅、钱秋茹、钱晨凯、窦云轩、王梁、袁宝弟、管新辰、钱裕香、周春晓、沈嘉琦、刘春苗、沈宏军、阮佟、张悦