GB/T 41853-2022 现行 国家标准

GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量

GB/T 41853-2022 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement

发布日期: 2022-10-12 实施日期: 2022-10-12 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 41853-2022
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 微电路
国际标准分类名称: 其他半导体分立器件
发布日期: 2022-10-12
实施日期: 2022-10-12
发布单位/组织: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位: 全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
页数: 20 页

适用范围

本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。

研制信息

起草单位:

中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

起草人:

李倩、王伟强、顾枫、李根梓、翟晓飞、何凯旋、田松杰、刘建生、崔波、武斌、汪蔚、高峰、王冲

字数: 40 千字 页数: 20 页

引用标准

IEC 60749-19

采用标准

IEC 62047-9:2011

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