GB/T 4298-1984
Abolished
GB/T 41853-2022
Active
National standards
GB/T 41853-2022 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
GB/T 41853-2022 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
Basic Information
Standard Code:
GB/T 41853-2022
Standard Type:
National standards
Standard Status:
Active
is_force_gb:
no
CCS Name:
Microcircuit
ICS Name:
Other discrete semiconductor devices
Publish Date:
2022-10-12
Implement Date:
2022-10-12
Publisher:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Technical Committee:
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
Pages:
20 pages
Scope
本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
Development Information
Drafting Units:
中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
Drafting Persons:
李倩、王伟强、顾枫、李根梓、翟晓飞、何凯旋、田松杰、刘建生、崔波、武斌、汪蔚、高峰、王冲
Referenced Standards
IEC 60749-19
Adopt standards
IEC 62047-9:2011
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