GB/T 4937.28-2026 Pending National standards

GB/T 4937.28-2026 Semiconductor devices—Mechanical and climate test methods—Part 28:Electrostatic discharge(ESD)sensitivity testing—Charged device model(CDM)—device level

Publish Date: 2026-02-27 Implement Date: 2026-09-01 For services related to genuine standard inquiry, procurement, translation, and other related services in China, please Contact Us

Basic Information

Standard Code: GB/T 4937.28-2026

Standard Type: National standards

Standard Status: Pending

is_force_gb: no

CCS Name: Semiconductor discrete devices

ICS Name: Integrated Components of Semiconductor Devices

Publish Date: 2026-02-27

Implement Date: 2026-09-01

Publisher: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

Technical Committee: 全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

Pages: 48 pages

Scope

本文件依据元器件和微电路对规定的带电器件模型(CDM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价、分级的程序。本文件适用于评价所有半导体封装器件、薄膜电路、声表面波(SAW)器件、光电器件、混合集成电路(HICs)及包括任意这些器件的多芯片组件(MCMs)。为进行测试，元器件需装配在与终端应用相似的封装中。本文件涉及的CDM模型不适用于插座式放电模型测试设备。本文件描述了场感应(FI)方法，另一种能作为替代的直接接触(DC)法见附录J。
本文件的目的是建立一种能够复现CDM失效并为不同测试设备间提供可靠、可重复的CDM ESD测试结果且不区分器件类型的测试方法。重复性数据保证了CDM ESD敏感度等级的准确划分及对比。

Development Information

Drafting Units:

河北北芯半导体科技有限公司、合肥科微芯测科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、河北科技大学、中国科学院微电子研究所、西安电子科技大学、天津大学、中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区、吉林华微电子股份有限公司、吉林麦吉柯半导体有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、吉林江机特种工业有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、杭州远方电磁兼容技术有限公司、迅芯微电子(苏州)股份有限公司、湖南中南鸿思自动化科技有限公司、广东众志检测仪器有限公司、佛山市通科电子有限公司、合肥沛顿存储科技有限公司、日照鲁光电子科技有限公司、芯百特微电子(无锡)有限公司、广东科信电子有限公司、珠海诚锋电子科技有限公司、广州盛中电子有限公司、先之科半导体科技(东莞)有限公司、上海源悦汽车电子股份有限公司

Drafting Persons:

张涛、赵宇洋、许中广、迟雷、吴小帅、王宇涛、桂明洋、王冲、郑雪峰、王超、孙宏军、杨洁、贾林、陈亚洲、胡小锋、陈龙坡、焦龙飞、安伟、周晓黎、张崇、彭浩、席善斌、胡松祥、曹耀龙、陈昱宇、张宇航、陈浩祥、邵伟恒、孙锴、李博、李仲茂、常江、杨寿国、单书珊、尹丽晶、李延林、孙哲、雷胡敏、杨国江、刘健、于胜东、张晋尘、李斌晖、李述洲、谷亚敏、张文华、刘芳、涂辛雅、姜明宝、武锦、唐佳、李兴哲、钟剑锋、黄初期、何洪文、朱礼贵、张海涛、柯佳键、张腾、徐兴华、骆宗友、张鹏程

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