GB/T 14847-2025 Active National standards

GB/T 14847-2025 Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method

Publish Date: 2025-10-31 Implement Date: 2026-05-01 For services related to genuine standard inquiry, procurement, translation, and other related services in China, please Contact Us

Basic Information

Standard Code: GB/T 14847-2025

Standard Type: National standards

Standard Status: Active

is_force_gb: no

CCS Name: \nTest methods for the physical properties of metals

ICS Name: \nMetal material testing

Publish Date: 2025-10-31

Implement Date: 2026-05-01

Publisher: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

Technical Committee: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

Pages: 12 pages

Scope

本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。
本文件适用于电阻率为0.000 6 Ω·cm～0.025 Ω·cm的衬底上制备的厚度大于0.5 μm的硅外延层厚度的测试。

Development Information

Drafting Units:

浙江金瑞泓科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、西安龙威半导体有限公司、浙江大学、麦斯克电子材料股份有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司、赛默飞世尔科技(中国)有限公司、上海优睿谱半导体设备有限公司、青海沅平新能源科技有限公司