GB/T 11093-1989
被代替
DB35/T 1146-2011
现行
福建省地方标准
DB35/T 1146-2011 硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
DB35/T 1146-2011 Determination of impurity element content in silicon materials using glow discharge mass spectrometry
价格:
$ 30
基本信息
标准编号:
DB35/T 1146-2011
标准类型:
地方标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2011-04-10
实施日期:
2011-07-10
发布单位/组织:
福建省质量技术监督局
归口单位:
中国科学院福建物质结构研究所
页数:
12 页
适用范围
本标准规定了测定硅材料中杂质元素含量的辉光放电质谱法（G D M S )所涉及的术语和定义、原理、试剂与材料、仪器设备、样品要求、样品要求、分析步骤、结果计算、允许偏差。 本标准适用于纯度不高于99.99999%的硅材料中的杂质元素L i、Be、B、N a、M g、A 1、P、K、T h、U等元素的测定
研制信息
起草单位:
中国科学院福建物质结构研究所
起草人:
黄丰，吕佩文，陈伦泰，王永好，林璋，黄瑾