GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 43894.2-2026
现行
国家标准
GB/T 43894.2-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法(ROA)
GB/T 43894.2-2026 Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 2:Roll-off amount(ROA)
价格:
$ 36.00
基本信息
标准编号:
GB/T 43894.2-2026
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属物理性能试验方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2026-01-28
实施日期:
2026-08-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
16 页
适用范围
本文件描述了用边缘卷曲法(ROA)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。
本文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片)及其他带有表面层的圆形晶片,也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。
注:直径200 mm 硅片参考本文件。
研制信息
起草单位:
山东有研半导体材料有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、金瑞泓微电子(衢州)有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司
起草人:
:宁永铎、朱晓彤、于亚迪、王玥、张婉婉、张雪囡、刘云霞、徐国科、吕莹、徐新华、 丁雄杰、马砚忠、陆占清