GB/T 8760-2020 现行 国家标准

GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T 8760-2020 Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide

发布日期: 2020-09-29 实施日期: 2021-08-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 8760-2020
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 金属物理性能试验方法
国际标准分类名称: 金属材料试验
发布日期: 2020-09-29
实施日期: 2021-08-01
发布单位/组织: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数: 8 页

适用范围

本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试,测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。

研制信息

起草单位:

有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司

起草人:

赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍

字数: 16 千字 页数: 8 页

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