T/CNIA 0017-2019 现行 团体标准

T/CNIA 0017-2019 多晶硅用氯硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

T/CNIA 0017-2019 Determination of Impurity Content in Polysilicon Using Chlorosilane by Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry (ICP-MS)

发布日期: 2019-02-13 实施日期: 2019-06-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们
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基本信息

标准编号: T/CNIA 0017-2019
标准类型: 团体标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类名称: 金属材料试验综合
发布日期: 2019-02-13
实施日期: 2019-06-01
归口单位: 中国有色金属工业协会

适用范围

主要技术内容:本标准规定了多晶硅用氯硅烷中杂质(硼、磷、铁、钙、铝、铬、镍、铜、锌、钛、钾、钠)含量的电感耦合等离子体质谱测定方法。本标准适用于多晶硅用氯硅烷中杂质(硼、磷、铁、钙、铝、铬、镍、铜、锌、钛、钾、钠)含量的测定,测定范围为0 μg/L ~1000 μg/L

研制信息

起草单位:

新特能源股份有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、新疆东方希望新能源有限公司、内蒙古神舟硅业有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司

起草人:

银波、邱艳梅、刘国霞、罗建文、谭忠芳、于生海、宗金平、宗凤云、孟凡江、张云晖

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