GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 30656-2014
被代替
国家标准
GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片
GB/T 30656-2014 Polished monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
标准编号:
GB/T 30656-2014
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
化合物半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2014-12-31
实施日期:
2015-09-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
14 页
适用范围
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单（或合同）内容。
本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
研制信息
起草单位:
北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所
起草人:
陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘春俊、刘振洲
被以下标准替代
引用标准
DIN 50448
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GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
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GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
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