GB/T 43612-2023 Active National standards

GB/T 43612-2023 Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials

Publish Date: 2023-12-28 Implement Date: 2024-07-01 For services related to genuine standard inquiry, procurement, translation, and other related services in China, please Contact Us

Basic Information

Standard Code: GB/T 43612-2023

Standard Type: National standards

Standard Status: Active

is_force_gb: no

CCS Name: Semi-metals and semiconductor materials

ICS Name: Semiconductor materials

Publish Date: 2023-12-28

Implement Date: 2024-07-01

Publisher: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

Technical Committee: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

Pages: 49 pages

Scope

本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。

Development Information

Drafting Units:

广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司