GB/T 11093-1989
被代替
T/IAWBS 003-2017
现行
团体标准
T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
T/IAWBS 003-2017 Carrier concentration measurement of silicon carbide epitaxial layer using mercury probe capacitance-voltage method
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/IAWBS 003-2017
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2017-12-20
实施日期:
2017-12-31
归口单位:
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
主要技术内容:本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为：1×1014cm-3～5×1017cm-3。本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量
研制信息
起草单位:
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所
起草人:
冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲