GB/T 37051-2018 现行 国家标准

GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

GB/T 37051-2018 Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

发布日期: 2018-12-28 实施日期: 2019-04-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 37051-2018
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半金属与半导体材料
国际标准分类名称: 半导体材料
发布日期: 2018-12-28
实施日期: 2019-04-01
发布单位/组织: 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
页数: 9 页

适用范围

本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法,包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。
本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

研制信息

起草单位:

英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司

起草人:

李锋、李英叶、段青春、张伟、吴翠姑、冯亚彬、裴会川、程小娟、唐骏

字数: 14 千字 页数: 9 页

引用标准

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