GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 6616-1995
被代替
国家标准
GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T 6616-1995 Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
基本信息
标准编号:
GB/T 6616-1995
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属物理性能试验方法
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
1995-04-18
实施日期:
1995-12-01
发布单位/组织:
国家技术监督局
页数:
8 页
研制信息
起草单位:
上海有色金属研究所
起草人:
林敏敏、张玉芬、夏锦禄
替代以下标准
GB 6616-1986
被以下标准替代
采用标准
ASTM F673-1990