GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 6616-2009
被代替
国家标准
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6616-2009 Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
基本信息
标准编号:
GB/T 6616-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
7 页
适用范围
本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm～1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。
硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm～2×102 Ω·cm和2×103 Ω/～3×103 Ω/。
研制信息
起草单位:
万向硅峰电子股份有限公司
起草人:
楼春兰、朱兴萍、方强、汪新平、戴文仙
替代以下标准
被以下标准替代
引用标准
ASTM E 691
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法