GB/T 11093-1989
被代替
T/CASAS 006-2020
现行
团体标准
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
T/CASAS 006-2020 Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor generic technical specification
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/CASAS 006-2020
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
技术管理
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2020-12-28
实施日期:
2021-01-01
归口单位:
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法; 主要技术内容:本文件充分借鉴了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容，并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级
研制信息
起草单位:
中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司
起草人:
许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬