GB/T 11093-1989
被代替
T/IAWBS 020-2024
现行
团体标准
T/IAWBS 020-2024 碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法
T/IAWBS 020-2024 Carbon-dioxide outer-growth layer deep energy level defect testing: Transient capacitance method
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/IAWBS 020-2024
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2024-02-27
实施日期:
2024-03-05
归口单位:
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
主要技术内容:本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数
研制信息
起草单位:
中国科学院半导体研究所、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京粤海金半导体技术有限公司
起草人:
闫果果、刘兴昉、郑红军、刘振洲