GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 1551-2009
被代替
国家标准
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1551-2009 Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
基本信息
标准编号:
GB/T 1551-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
19 页
适用范围
本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10 -3 Ω·cm～3×10 3 Ω·cm。
研制信息
起草单位:
信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人:
李静、何秀坤、张继荣、段曙光
替代以下标准
被以下标准替代
采用标准
SEMI MF 84-1105
SEMI MF 397-1106