GB/T 11093-1989
被代替
T/IAWBS 006-2018
现行
团体标准
T/IAWBS 006-2018 碳化硅混合模块测试方法
T/IAWBS 006-2018 Carbon nitride mixed module testing method
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/IAWBS 006-2018
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2018-12-06
实施日期:
2018-12-17
归口单位:
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
范围:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求; 主要技术内容:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验，特性参数测试、耐久性测试，根据特性参数确认模块特性，由此判断是否通过极限值试验。参数包括（集电极-发射极电压VCES, 二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向（直流）电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1 SCSOA1、二极管正向（不重复）浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等）。本标准还规定了检测报告中应给出的信息
研制信息
起草单位:
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、北 京天科合达半导体股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、泰科天润半导体科技（北 京）有限公司
起草人:
张瑾、仇志杰、陆敏、彭同华、刘振洲、王志超、陈彤、郑红军、 林雪如、陈鹏、刘祎晨