GB/T 11093-1989
被代替
T/CIET 1271-2025
现行
团体标准
T/CIET 1271-2025 碳化硅外延片制备技术规范 化学气相沉积法（CVD）
T/CIET 1271-2025 Silicon carbide epitaxial wafer preparation specification: Chemical vapor deposition (CVD) method
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/CIET 1271-2025
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
-
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2025-05-08
实施日期:
2025-05-08
归口单位:
中国国际经济技术合作促进会
适用范围
范围:本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。 本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验; 主要技术内容:本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验
研制信息
起草单位:
广东天域半导体股份有限公司、南京百识电子科技有限公司、蓝河科技（绍兴）有限公司、深圳市纳设智能装备股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、扬帆半导体（江苏）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司
起草人:
刘薇、丁雄杰、胡智威、徐春阳、陈炳安、张志勤、黄朝辉、孔令沂、党帅、邢志刚、钟国仿、吴会旺、郑圣君、林云昊、林宝仪、黄善文、尹宝堂、肖蕴章、张国良、尹炯豪、刘岩、吴永利、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、张桢