GB/T 11093-1989
被代替
T/ZZB 2833-2022
现行
团体标准
T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片
T/ZZB 2833-2022 High-voltage MOSFET 200 mm silicon epitaxial wafer
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/ZZB 2833-2022
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
元素半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2022-12-08
实施日期:
2022-12-31
归口单位:
浙江省质量协会
适用范围
主要技术内容:本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向<100>的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET）
研制信息
起草单位:
本文件由宁波市标准化研究院牵头组织制定。本文件主要起草单位： 浙江金瑞泓科技股份有限公司。本文件参与起草单位： 金瑞泓科技（衢州）有限公司
起草人:
本文件主要起草人： 许峰、李慎重、李刚、刘红方、 朱华英、 李方虎、 李艳玲