GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 26066-2010
现行
国家标准
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26066-2010 Practice for shallow etch pit detection on silicon
基本信息
标准编号:
GB/T 26066-2010
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2011-01-10
实施日期:
2011-10-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
6 页
适用范围
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。
本标准适用于检测111或100晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。
研制信息
起草单位:
洛阳单晶硅有限责任公司
起草人:
田素霞、张静雯、王文卫、周涛