GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 42907-2023
现行
国家标准
GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法
GB/T 42907-2023 Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots,silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor
基本信息
标准编号:
GB/T 42907-2023
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属物理性能试验方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2023-08-06
实施日期:
2024-03-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
16 页
适用范围
本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1 μs～10 000 μs、电阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100 μs～200 μs时，两种测试方法均适用。
研制信息
起草单位:
TCL中环新能源科技股份有限公司、弘元新材料(包头)有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、四川永祥光伏科技有限公司
起草人:
张雪囡、王林、王建平、李向宇、杨阳、邓浩、刘文明、赵子龙、郭红强、张石晶、潘金平、李寿琴、赵军
引用标准
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB/T 14264-2024 半导体材料术语