GB/T 13389-2014 现行国家标准

GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T 13389-2014 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon

发布日期: 2014-12-31 实施日期: 2015-09-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务，请联系我们

标准编号: GB/T 13389-2014

标准类型: 国家级标准

标准状态: 现行

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中国标准分类名称: 半金属与半导体材料

国际标准分类名称: 半导体材料

发布日期: 2014-12-31

实施日期: 2015-09-01

发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

页数: 28 页

本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。

有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司

孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社

字数: 49 千字 页数: 28 页