GB/T 4855-1984
废止
GB/T 42974-2023
现行
国家标准
GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH)
GB/T 42974-2023 Semiconductor integrated circuits—Flash memory(FLASH)
基本信息
标准编号:
GB/T 42974-2023
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体集成电路
国际标准分类名称:
集成电路、微电子学
发布日期:
2023-09-07
实施日期:
2024-01-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数:
16 页
适用范围
本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。
研制信息
起草单位:
中国电子技术标准化研究院、兆易创新科技集团股份有限公司、合肥美菱物联科技有限公司、存心科技(北京)有限公司、芯天下技术股份有限公司、三旗(惠州)电子科技有限公司
起草人:
罗晓羽、何卫、辛钧、胡洪、苏志强、李东琦、韩旭、龙冬庆、张静、李柏泉、王如松、李敬、李海龙
引用标准
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
IEC 60749-6
IEC 60749-8
IEC 60749-9
IEC 60749-24
IEC 60749-28
IEC 60749-36
GB/T 191-2000 包装储运图示标志
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检
GB/T 4937.4-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST)
GB/T 4937.11-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法
GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾
GB/T 4937.14-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度(引线牢固性)
GB/T 4937.15-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热
GB/T 4937.21-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性
GB/T 4937.23-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命
GB/T 4937.26-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM)
GB/T 4937.27-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分：静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM)
GB/T 9178-1988 集成电路术语
GB/T 12750-1991 半导体集成电路分规范 (不包括混合电路)
GB/T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范(不包括混合电路)
GB/T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法
GB/T 191-2025 包装储运图形符号标志