GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 11072-2009
现行
国家标准
GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片
GB/T 11072-2009 Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
基本信息
标准编号:
GB/T 11072-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
化合物半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
7 页
适用范围
1.1本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。1.2本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
研制信息
起草单位:
峨嵋半导体材料厂
起草人:
王炎、何兰英、张梅
替代以下标准
引用标准
GB/T 8759
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GB/T 11297.1-2017 激光棒波前畸变的测量方法
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