GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 14146-2009
被代替
国家标准
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
GB/T 14146-2009 Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
基本信息
标准编号:
GB/T 14146-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
被代替
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
8 页
适用范围
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
研制信息
起草单位:
南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人:
马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平