GB/T 1553-2009 被代替 国家标准

GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法

GB/T 1553-2009 Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

发布日期: 2009-10-30 实施日期: 2010-06-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 1553-2009
标准类型: 国家级标准
标准状态: 被代替
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半金属与半导体材料
国际标准分类名称: 半导体材料
发布日期: 2009-10-30
实施日期: 2010-06-01
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数: 14 页

适用范围

1.1本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
1.2本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性,试样可以重复测试,但要求试样具有特殊的条形尺寸和研磨的表面,见表1。

研制信息

起草单位:

峨嵋半导体材料厂

起草人:

江莉、杨旭

字数: 24 千字 页数: 14 页

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