GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 32278-2025
现行
国家标准
GB/T 32278-2025 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
GB/T 32278-2025 Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers
基本信息
标准编号:
GB/T 32278-2025
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属物理性能试验方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2025-08-01
实施日期:
2026-02-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
12 页
适用范围
本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。
本文件适用于厚度为0.13 mm~1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。
研制信息
起草单位:
北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、连科半导体有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、派恩杰半导体(浙江)有限公司
起草人:
佘宗静、彭同华、何烜坤、王大军、王波、杨建、贺东江、吴殿瑞、刘小平、刘薇、黄宇程、胡动力、汪传勇、赵文琪、黄兴